晶体管模型和建模方法

本发明属于信息通讯领域，具体涉及一种晶体管模型和建模方法，晶体管模型包括压控开关，用于代表GaN HEMT的非线性输出电阻，针对所述两个工作状态下的晶体管模型，建立等效模型，压控开关的动作由输入驱动电平控制，晶体管模型的元器件参数根据直流测量和特定偏置下S参数测量提取，本发明将开关模式下的晶体管模型等效为含有压控开关的电路，实现了模型的简化；提取模型完整参数集使用的测量系统简单、测量速度快，还能获得与晶体管模型设计或工艺直接相关的大量数据，可应用于高效射频功率放大器设计。