一种硅基嵌入式双面塑封的高密度3D封装结构及制作方法

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一种硅基嵌入式双面塑封的高密度3D封装结构及制作方法
申请号:CN202411383305
申请日期:2024-09-30
公开号:CN119275117A
公开日期:2025-01-07
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种硅基嵌入式双面塑封的高密度3D封装结构及制作方法,将芯片贴装至硅基上,在硅基表面制作重布线结构,在重布线结构上连接功能芯片,将功能芯片和硅基分别进行塑封,形成第一塑封体和第二塑封体;在第一塑封体上形成金属重布线结构,在金属重布线结构上设置第二金属导电结构;将第二塑封体研磨减薄,直至露出芯片。本发明先在硅基一侧挖槽并贴入芯片,再制作重布线结构并连接功能芯片,再进行塑封减薄,为减小翘曲,在硅基另一侧进行塑封,塑封厚度由翘曲程度决定,直至没有翘曲现象,再进行布线,通过TMV孔结构实现信号三维互联及释放应力,进一步降低翘曲,将第二塑封体研磨减薄至露出芯片,有利于提高封装结构的散热能力。
技术关键词
重布线结构 金属导电结构 封装结构 芯片 高密度 双面 RDL结构 空隙 控制翘曲 涂布光刻胶 翘曲现象 光刻技术 介电层 凸块 凹槽 焊盘 信号 应力
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