一种负热膨胀材料KxMgxLu2-xW3O12及其制备方法和应用

本发明属于热膨胀材料技术领域，公开一种负热膨胀材料KxMgxLu2‑xW3O12及其制备方法和应用。分子式为KxMgxLu2‑xW3O12。制备方法：选择K2CO3、MgO、Lu2O3和WO3作为原料，按照摩尔比K2CO3∶MgO∶Lu2O3∶WO3=(x/2)∶x∶(1‑x/2)∶3称重并研磨混合均匀，将得到的混合粉末直接烧结或者压片后烧结，烧结温度为900~1200℃、时间为6~24h，冷却至室温，得到目标产物KxMgxLu2‑xW3O12。一种负热膨胀材料作为半导体在集成电路或芯片制造领域中的应用。本发明首次提出了分子式为KxMgxLu2‑xW3O12的负热膨胀材料，负热膨胀系数覆盖‑7.61×10‑6~‑10.6×10‑6 K‑1，兼具良好的热稳定性，同时制备工艺简单，成本低，适合于工业化生产，可望在生物医用材料、航空航天装备、精密仪器等高技术领域获得应用；此外，本发明KxMgxLu2‑xW3O12可以作为宽带隙半导体，应用在集成电路和芯片制造领域。