DBR结构、发光二极管及发光装置

本申请提供了一种DBR结构、发光二极管及发光装置，该DBR结构依次包括：第一部分，包括若干个光学厚度大于0.1λ的第一材料层，以及至少一个光学厚度小于0.05λ的第一材料层；第二部分，其中第一材料层的光学厚度介于0.3λ至0.45λ之间；第三部分，其中第一材料层的光学厚度介于0.3λ至0.45λ之间，且第三部分的第一材料层的光学厚度差值大于第二部分的第一材料层的光学厚度差值。本申请提供的模组设计可以有效抵抗波长变化引起的大角度透光减弱问题，促进不同波段的光线均能从发光二极管的侧面和背面出射，且随着入射角的变化，该DBR结构对光线始终能够保持稳定均匀的透过率由此增加芯片亮度，提升出光的均匀性。