相控阵前端结构及其制备方法

一种相控阵前端结构及其制备方法，包括：依次设置于衬底上的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层、第三介质层、第四金属层和阻焊层、设置于衬底上的内置芯片的SU8芯片槽以及位于顶部通过球栅阵列(BGA)与第三介质层电连接的天线基板，本发明利用引线键合技术将芯片与硅基板进行电气连接，同时采用球栅阵列封装技术将硅基板与天线基板进行互连。通过在SU‑8光刻胶中开设槽位，将芯片直接贴装在硅基板表面，既增强了系统的散热能力，又有效增加了芯片与上方天线基板地平面之间的距离，防止了芯片性能的恶化。这一制作方案实现了相控阵前端系统在高密度封装下的高性能和高散热能力的结合。