一种芯片垂直堆叠封装结构及其制造方法

本发明提供了一种芯片垂直堆叠封装结构及其制造方法，其中垂直堆叠封装结构包括：载板；结构体，集成在所述载板上；所述结构体为多层结构垂直堆叠而成；每一层结构均包括：水平方向上相对设置的芯片和硅桥片，所述硅桥片中形成有贯通的TSV；所述芯片的PAD被扇出至所述硅桥片上形成新PAD，所述新PAD与所述TSV的顶面接触；所述结构体的第N层(N＞1)结构的所述TSV的底面形成有焊球；上一层结构的焊球与下一层结构的所述新PAD相接触；所述结构体的第一层结构，通过RDL形成有与TSV电连接的焊球阵列，所述结构体通过所述焊球阵列焊接在所述载板上。本发明可以有效减小封装体积。