VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法及装置

本申请提供了VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法及装置，涉及半导体制造技术领域，包括：根据芯片生产端，接收芯片刻蚀任务；根据芯片刻蚀目标层对应的刻蚀目标层信息对芯片刻蚀工艺因子进行配准关联，建立芯片刻蚀控制配准空间；根据芯片刻蚀质量约束对芯片刻蚀控制配准空间进行刻蚀决策，生成满足预定刻蚀决策容量的芯片刻蚀决策空间；根据芯片刻蚀质量适应度函数对芯片刻蚀决策空间进行寻优分析，获得芯片刻蚀寻优工艺；根据芯片刻蚀寻优工艺对待刻蚀芯片进行刻蚀。本申请解决了现有工艺采用固定工艺参数设定，难以根据不同芯片和刻蚀层的差异灵活调整刻蚀工艺过程，导致刻蚀效果一致性差的技术问题，提高了芯片刻蚀的精确度和一致性。