一种高热耗散芯片老化试验装置

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一种高热耗散芯片老化试验装置
申请号:CN202411436267
申请日期:2024-10-15
公开号:CN119291460A
公开日期:2025-01-10
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种高热耗散芯片老化试验装置,芯片老化试验装置包括:金属基座,金属基座为铜基座;石墨烯热耗散层,石墨烯热耗散层设置于金属基座顶面,石墨烯热耗散层带有散热翅片阵列;待检测芯片,待检测芯片为复数个,复数个待检测芯片吸附于金属基座底面;金属基座内部设置有气道,气道连通于金属基座底面设置的复数个吸附口,复数个吸附口呈阵列状排布,复数个吸附口中的每个均分别吸附有一待检测芯片;复数个吸附口中的每个的内部均设置有温度传感器探子,温度传感器探子与对应吸附的待检测芯片接触以获取待检测芯片的实时温度。本发明老化试验装置散热效率高。
技术关键词
老化试验装置 金属基座 检测芯片 温度传感器 信号处理装置 石墨 散热翅片 阵列 微泵 真空
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