基于3D Gaussian Splatting技术的寄生参数提取方法

本发明公开了一种基于3D Gaussian Splatting技术的寄生参数提取方法；该方法包括：步骤1：随机生成3D电路图案；步骤2：使用电磁场求解软件求解空间的电磁场分布；步骤3：利用所求解的电磁场分布训练辐射场的空间特征；步骤4：使用3D高斯泼溅技术进行寄生参数提取；步骤5：通过可微的光栅化进行GPU的并行处理，进行Loss的比对迭代；步骤6：进行结果分析与应用，以获得高精度的技术参数。本发明方法能巧妙利用3D高斯泼溅技术的特性，减少空白空间不必要的计算，提高寄生参数提取的精度，提升求解速度，缩短设计周期；能够适应各种不同的电路布局，具有良好的通用性。