一种基于温等静压烧结制备非晶芯片电感的方法

本发明提供一种基于温等静压烧结制备非晶芯片电感的方法，属于电感制备技术领域。该方法包括如下步骤：将非晶粉料依次经过钝化、包覆、造粒、压制成型处理，获得非晶芯片电感坯体；将非晶芯片电感坯体置于等静压腔体内，以氩气为等静压气体介质，进行温等静压烧结，烧结温度为250℃～450℃，压力为250MPa～300MPa；在氮气气氛下，常压退火处理制得非晶芯片电感。本发明非晶芯片电感采用了温等静压烧结技术，不仅解决了非晶高温晶化问题，同时可以解决了非晶高压晶粒取向高损耗问题。