芯片试验件及制备方法、导热填充层覆盖率的测量方法

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芯片试验件及制备方法、导热填充层覆盖率的测量方法
申请号:CN202411456223
申请日期:2024-10-17
公开号:CN119375666A
公开日期:2025-01-28
类型:发明专利
摘要
本发明实施例公开了一种芯片试验件及制备方法、导热填充层覆盖率的测量方法,芯片试验件包括基板、芯片模组、第一导热填充层,芯片模组包括由上到下依次设置的盖片、第一粘合层、传感器薄膜层和芯片,芯片焊接固定在基板的表面上。传感器薄膜层包括多个按阵列方式均匀布置在柔性介质层中的电容传感器。本实施例通过将第一导热填充层处的压力分布转化为多个电容传感器阵列的电容值的变化,测量统计电容值在预定范围内的电容传感器的数量与总数量的比例即可获得TIM覆盖率。本实施例能够解决芯片封装内部或表面处热界面材料覆盖率的测量问题,从而为TIM材料的设计和应用提供更为准确的参考指标。
技术关键词
芯片模组 导热 覆盖率 基板 薄膜层 散热器 测量方法 电容传感器阵列 盖片 金属走线 金属环 电路板互连 柔性 介质
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