微发光二极管芯片及制备方法

本申请涉及一种微发光二极管芯片及制备方法。所述制备方法包括：提供外延片；在所述外延片的表面形成电流扩展膜；在所述电流扩展膜背离所述外延片的表面形成第一光阻图案，所述第一光阻图案显露所述电流扩展膜的周缘；及以所述第一光阻图案为掩膜对所述电流扩展膜及所述外延片进行蚀刻，以去除所述电流扩展膜未被所述第一光阻图案覆盖的部分以形成电流扩展层，且去除所述外延片邻近所述电流扩展膜且未被所述第一光阻图案覆盖的部分以在所述外延片上形成台阶结构，其中，所述电流扩展层相较于所述台阶结构的侧边内缩，且内缩的尺寸W0满足：0.5μm＜W0≤4μm。