套刻精度量测标记及其使用方法与器件
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套刻精度量测标记及其使用方法与器件
申请号:
CN202411460262
申请日期:
2024-10-18
公开号:
CN119108381B
公开日期:
2025-09-23
类型:
发明专利
摘要
本申请属于半导体器件技术领域,具体公开了一种套刻精度量测标记及其使用方法与器件。该套刻精度量测标记在芯片边缘区域采用DBO标记及IBO标记方式,有利于减少套刻精度量测标记中使用的Scribe Line面积,并且提高Scribe Line区域内进行套刻精度量测的准确度。
技术关键词
光栅
图像
套刻精度
基底
半导体器件技术
光刻曝光
标记方式
芯片
间距
尺寸
沪ICP备2023015588号