摘要
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种氮化镓双向开关器件及其制备方法。本发明提出的氮化镓双向开关器件的第一元胞结构、第二元胞结构和现有分立的氮化镓功率器件和Si功率器件相比,通过将分立的氮化镓功率器件的源极、栅极共用,显著降低器件比导通电阻,也就有效的降低了芯片的面积,进而降低芯片成本。引出了源极金属电极,将双向开关器件的场板和双向开关器件的衬底均与双向开关器件的源极电气连接,有效提升双向开关器件的鲁棒性,并且易于驱动控制。
技术关键词
元胞结构
双向开关器件
势垒层
金属电极
栅极
氮化镓功率器件
缓冲层
介质
衬底
有源区
工艺平台
鲁棒性
芯片
单层
电气
电阻
电压