带隙基准电路、铁电存储器和电子设备

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带隙基准电路、铁电存储器和电子设备
申请号:CN202411461865
申请日期:2024-10-18
公开号:CN119414915A
公开日期:2025-02-11
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种带隙基准电路、铁电存储器和电子设备,可应用于电子电路技术领域。本申请通过在带隙基准电路中设置启动电路、误差放大电路、偏置电路、镜像电路、稳定系数控制电路和分压电路,可以通过带隙基准电路通过温度系数控制电路调节工作过程中电路的温度系数,误差放大电路对偏置电路的电压进行钳位处理后偏置电路输出偏置电流,镜像电路对偏置电流镜像处理后,再通过分压电路进行分压处理后得到符合铁电存储器在当前工作温度下的基准电流,从而能够在高温情况下有效维持铁电存储芯片的存储效果。
技术关键词
PMOS管 带隙基准电路 偏置电路 铁电存储器 三极管 栅极 NMOS管 控制电路 分压电路 启动电路 镜像 正温度系数 电阻 铁电存储芯片 基准电压 误差 电流 电子电路技术
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