一种IGBT与MOSFET双芯片并联的单管结构及其控制方法

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种IGBT与MOSFET双芯片并联的单管结构及其控制方法。包括，IGBT芯片和MOSFET芯片，并列设置在引线框架上，IGBT芯片的发射极和MOSFET芯片的源极连接，IGBT芯片的集电极和MOSFET芯片的漏极连接；第一栅极管脚，连接IGBT芯片的栅极，用于向IGBT芯片传输第一开关信号，IGBT芯片基于第一开关信号可控制地通断；第二栅极管脚，连接MOSFET芯片的栅极，用于向MOSFET芯片传输第二开关信号，MOSFET芯片基于第二开关信号可控制地先于IGBT芯片导通且后于IGBT芯片关断。本发明将MOSFET芯片与IGBT芯片相结合，并控制MOSFET芯片优先导通、滞后关断，兼具MOSFET芯片开关损耗低、IGBT芯片导通损耗低的优势，降低开关损耗和导通损耗，实现电能的高效转换、控制和分配，实现高的效率。