介电层突起部

本公开涉及介电层突起部。封装(104)包括：半导体裸片(200)，其具有形成有电路系统的装置侧(201)；以及第一金属构件及第二金属构件(206)，其耦合到所述装置侧并远离所述装置侧延伸。所述封装还包括接触所述装置侧的钝化层(202)，所述钝化层的至少一部分定位于所述第一金属构件与所述第二金属构件之间，所述钝化层包含背向所述半导体裸片的顶部表面(205)。所述封装进一步包括耦合到所述顶部表面并远离所述顶部表面延伸的多个钝化层突起部PLP(204)，所述多个PLP具有介于0.5微米到50微米范围内的高度。