一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统及切割方法

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推荐专利
一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统及切割方法
申请号:CN202411469199
申请日期:2024-10-21
公开号:CN119238754B
公开日期:2025-12-12
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统及切割方法,其中一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统包括,X射线断层CT扫描设备,获取晶体内部的结构和缺陷信息;碳化硅晶体固定设备,用于固定碳化硅晶体;3D数据处理模块,与X射线断层CT扫描设备连接,包括缺陷数据模块、缺陷数据对比分析模块、图像处理及生成模块;切割数据处理模块,接收3D缺陷数据及图像后,经过切割数据模块处理计算形成最佳的切割路径方法;切割系统,与切割数据处理模块相连接,按照最佳的切割路径,设置切割工艺参数,最终形成碳化硅晶片;本发明通过3D扫描缺陷以及缺陷数据分析得到最佳的切割路线,形成低缺陷高良率晶片,适应不同的缺陷分布,提高了切割的精度和效率,减少了加工损耗。
技术关键词
碳化硅晶体 切割系统 数据处理模块 数据模块 X射线断层 碳化硅晶片 CT扫描设备 切割方法 固定设备 高能X射线管 分析模块 路径方法 垂直移动功能 机器学习算法分析 深度学习神经网络 切割工艺 图像 人工智能算法
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沪ICP备2023015588号