一种复合钝化膜的形成方法及包含该钝化膜的芯片

本发明涉及芯片钝化技术领域，具体涉及一种复合钝化膜的形成方法及包含该钝化膜的芯片。包括以下步骤：半导体晶片表面的预处理；ZnS钝化膜的磁控溅射及等离子处理；六氟化硫气氛辅助钝化晶片退火。本发明通过对镀膜晶片表面进行H2S和氮气的混合气体等离子体处理，H2S和氮气的混合气体等离子体产生的H2S团簇离子提供了丰富的S离子，在ZnS薄膜中的S空位处填充了S离子，钝化了S悬挂键，从而减少了薄膜的缺陷和应力，提高了ZnS薄膜的结晶度，增强薄膜的稳定性和均匀致密性，并且H离子能够调整薄膜表面的电荷分布，进一步促进S离子的填充和钝化效果，避免了钝化膜出现微裂纹、微缺陷、膜层脱的问题，提高了芯片的可靠性。