一种新式SiC抗翘曲薄膜沉积工艺方法

本发明涉及晶体加工领域，尤其涉及一种新式SiC抗翘曲薄膜沉积工艺方法，在工艺开始阶段，会先对晶圆进行吸附，并检查真空度确保晶圆吸附平整无漏吸；在工艺过程中，加热台全程进行吸附，保证薄膜生长均匀性；在工艺结束后，增加应力释放环节，通过提高加热台温度，对晶圆应力进行释放，防止晶圆冷却后再次翘曲。本发明中抗翘曲薄膜沉积工艺方法，通过修改相应结构，在SiC衬底工艺过程中，增加底部吸附拉平环节，对衬底施加反向作用力，从而保证沉积的薄膜均匀生长在衬底的表面，并通过增加释放应力环节，防止工艺结束后的晶圆再次翘曲，大大提高了晶圆的工艺良率。