一种制冷红外探测器的制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种制冷红外探测器的制备方法
申请号:CN202411471166
申请日期:2024-10-22
公开号:CN118983327A
公开日期:2024-11-19
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种制冷红外探测器的制备方法,包括以下步骤:提供器件芯片,所述器件芯片包括衬底、过渡层、外延层的叠层结构;在所述器件芯片的外延层上形成第一金属电极;在所述第一金属电极上形成第一铟柱;提供读出电路芯片,在所述读出电路芯片上形成第二金属电极;在所述第二金属电极上形成第二铟柱;将所述第一铟柱柱与所述第二铟柱倒焊互连;在所述器件芯片与所述读出电路芯片之间的互连铟柱周围的区域填充固化胶;去除器件芯片的衬底;去除器件芯片的过渡层。本发明提供的制冷红外探测器的制备方法,通过去除过渡层,降低组分梯度,进而解决了击破曲线上展宽变宽的问题。
技术关键词
制冷红外探测器 读出电路芯片 金属电极 铟柱 化学抛光 外延 叠层结构 固化胶 压强 介质 衬底 电子束 通孔 氢溴酸 上沉积 溶液 射频 甲醇 曲线
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号