多芯片三维封装结构及封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，提供一种多芯片三维封装结构及封装方法。所述封装结构包括：多个模塑介质层以及多个芯片组，多个芯片组分别塑封于多个模塑介质层中，多个芯片组通过模塑介质层中的塑封通孔实现互连；相邻两个芯片组的多个芯片倒装于相邻两个模塑介质层之间的再布线层上；相邻两个芯片组中至少一个芯片组包括多个具有高速率接口和低速率接口的芯片，该芯片组的多个芯片的高速率接口通过互连桥连接，相邻两个芯片组中各芯片的低速率接口通过相邻两个模塑介质层之间的再布线层引出至塑封通孔。本发明采用互连桥并使用塑封通孔(TMV)与再布线层(RDL)相结合的封装工艺，降低了多芯片三维封装的技术难度和制造成本。