基于单层过渡金属硫族化合物的二维场效应晶体管模型及构建方法

本发明涉及半导体设备的设计与仿真领域，公开了一种基于单层过渡金属硫族化合物的二维场效应晶体管模型及构建方法，其包括：设定二维场效应晶体管的源端和漏端与二维材料为欧姆接触，构建二维场效应晶体管的电荷模型；根据电荷与电容的关系，基于电荷模型确定的电荷构建二维场效应晶体管内部包括量子电容和寄生电容的电容模型；确定二维晶体管各层之间的寄生电容，并将寄生电容组成的电路转变为静态电容网络，根据电容与电压的关系构建二维场效应晶体管的沟道电压模型；确定通用的沟道电流模型，并将沟道电压模型确定的电压与电容及电荷的关系，与通用的沟道电流模型相结合，得到最终的沟道电流模型。本发明能提高低功耗电子器件的性能和效率。