逆导型绝缘栅双极型晶体管及其形成方法、芯片和车辆

AITNT
正文
推荐专利
逆导型绝缘栅双极型晶体管及其形成方法、芯片和车辆
申请号:CN202411479049
申请日期:2024-10-22
公开号:CN119855179A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其形成方法、芯片和车辆,在形成介质层之后,利用介质层对绝缘栅双极型晶体管区进行保护,从而可以仅在快恢复二极管区形成载流子寿命控制区,同时减少对绝缘栅双极型晶体管区载流子寿命的影响。不仅可以降低快恢复二极管区的反向恢复时间、提高器件软度,还可以降低器件的漏电流,使器件具有更好的高温稳定性和可靠性,改善了器件的整体性能。
技术关键词
绝缘栅双极型晶体管 栅极结构 载流子存储区 欧姆接触区 二极管 衬底 接触结构 介质 沟槽 寿命 接触孔 集电极层 芯片 车辆 短路 离子 电流
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种高压电容的间歇性充电电路
电源管理模块 充电电路 整流模块 稳压二极管 开关模块
2
一种车用TVS贴片二极管
贴片二极管 贴片TVS二极管 焊料 芯片 基片
3
微型可编程逻辑扩展器
NPN晶体管 晶体管开关电路 主控芯片 扩展器 多通道
4
一种神经生物学用眼睛研究模型展示装置
模型展示装置 眼球模型 光源体 调节器 发光二极管
5
一种斯特林制冷机驱动控制器及斯特林制冷机
斯特林制冷机 信号占空比 预驱动电路 数据采集器 数据采集电路
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号