高集成度低功耗射频前端芯片的设计方法及系统

本发明提供高集成度低功耗射频前端芯片的设计方法及系统，涉及芯片技术领域，包括在单一硅基底上集成射频收发器、功率放大器、低噪声放大器和开关模块，在所述单片集成的射频前端芯片中实现自适应偏置控制系统，包括设置多个温度传感器、电压传感器和电流传感器，所述数字信号处理器根据预设的功耗优化算法，计算各模块的最优偏置参数，并通过数模转换器将偏置控制信号发送至相应模块；基于所述自适应偏置控制系统，实现射频前端芯片的动态功耗管理，当检测到射频信号传输结束时，所述数字信号处理器控制各模块进入低功耗待机状态，进一步降低芯片整体功耗。