存储器阵列、存算一体电路及其控制方法、芯片和电子设备

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推荐专利
存储器阵列、存算一体电路及其控制方法、芯片和电子设备
申请号:CN202411480569
申请日期:2024-10-22
公开号:CN119626293A
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种存储器阵列、存算一体电路及其控制方法、芯片和电子设备。涉及存储器设计技术领域。存储器阵列包括多个呈阵列排布的存储单元;每一存储单元的第一端连接有第一字线和第一双位线,每一存储单元的第二端连接有第二字线和第二双位线;所述第一双位线设置有第一开关模块,所述第一开关模块用于控制所述第一双位线中连接至所述存储单元的位线数量;所述第二双位线设置有第二开关模块,所述第二开关模块用于控制所述第二双位线中连接至所述存储单元的位线数量。本申请实施例能够针对性的解决现有SRAM器件不能实现单元阵列面积和逻辑功能的平衡的问题。
技术关键词
开关模块 存储器阵列 位线 SRAM存储单元 读出电路 开关管 存储器设计技术 控制电路 SRAM器件 电子设备 芯片 节点 信号 数据 逻辑 电源
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