基于ESD抗阻匹配的发光二极管阱层控制方法及系统

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基于ESD抗阻匹配的发光二极管阱层控制方法及系统
申请号:CN202411483481
申请日期:2024-10-23
公开号:CN119364860A
公开日期:2025-01-24
类型:发明专利
摘要
本发明公开了基于ESD抗阻匹配的发光二极管阱层控制方法及系统,包括,该方法通过调整N型阱层的掺杂浓度和P型阱层的掺杂浓度,改变阱层的电导率和载流子流动,以提高ESD防护器件的抗阻,此外,还包括调整阱层深度和宽度,以进一步优化ESD防护器件的抗阻,通过验证阱层对载流子流动和抗阻的影响,本发明能够优化ESD防护器件参数中的击穿电压与漏电流,以实现最佳的抗阻匹配,此外,本发明还提供了一种基于ESD抗阻匹配的发光二极管阱层控制系统,包括掺杂浓度调整模块、阱层验证模块、载流子动态模块和抗阻匹配模块,能够自动调整和优化阱层结构,满足IEC 61000‑4‑2标准的要求。
技术关键词
ESD防护器件 发光二极管 载流子迁移率 匹配模块 电压 漏电流 静电 动态 控制系统 参数 仿真模型 电子 定义 关系 数据
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