半导体装置

本申请提供一种半导体装置。该半导体装置包括一个由n型或p型的其中一种碳化硅形成的漏极层，以及一个形成在所述漏极层上的由n型或p型的其中一种碳化硅形成的漂移层。在芯片的终端结构中，所述漂移层的侧壁部向内弯曲或倾斜，在所述侧壁部中，至少上部呈倒锥形状。该终端结构中，如此，使得该半导体装置可以不使工艺复杂化的情况下，能够确保耐压并实现小型化。