读写加速方法、装置、存储控制芯片以及存储介质

本申请的读写加速方法、装置、存储控制芯片以及存储介质。该方法包括：按照预置配置规则对多笔操作指令进行处理，得到多传输操作指令表；存储多传输操作指令表至静态随机存储区域中；读取多传输操作指令表，并逐个加载多传输操作指令表中的操作指令，完成对Flash读写操作。本申请通过采用MT模式实现对Flash的读写，相较于ST模式，生成的多传输操作指令表存储在静态随机存储区域中，主控内部的管理Flash的NFCMU模块能够直接访问静态随机存储区域来读取并加载多传输操作指令表，无需在涉及CPU消耗额外时间执行相应固件代码来实现读取、加载，以此加快主控每个对Flash的读写操作处理。