一种磁耦合器的纳米晶材料选择方法、系统、设备及介质

AITNT
正文
推荐专利
一种磁耦合器的纳米晶材料选择方法、系统、设备及介质
申请号:CN202411494453
申请日期:2024-10-24
公开号:CN119397709A
公开日期:2025-02-07
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种磁耦合器的纳米晶材料选择方法、系统、设备及介质,包括:获取磁耦合器的参数要求;根据所述磁耦合器的参数要求,确定纳米晶材料的最优叠压参数、最优厚度、最优导电率及最优磁导率;根据所述确定得到的最优叠压参数、最优厚度、最优导电率及最优磁导率选择磁耦合器的纳米晶材料,该方法、系统、设备及介质能够选择出最合适的纳米晶材料。
技术关键词
纳米晶材料 纳米晶磁芯 参数 磁耦合器 饱和磁通密度 仿真模型 线圈 导电 可读存储介质 处理器 计算机设备 谐振 存储器 电阻 模块
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号