一种磁耦合器的纳米晶材料选择方法、系统、设备及介质
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一种磁耦合器的纳米晶材料选择方法、系统、设备及介质
申请号:
CN202411494453
申请日期:
2024-10-24
公开号:
CN119397709A
公开日期:
2025-02-07
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种磁耦合器的纳米晶材料选择方法、系统、设备及介质,包括:获取磁耦合器的参数要求;根据所述磁耦合器的参数要求,确定纳米晶材料的最优叠压参数、最优厚度、最优导电率及最优磁导率;根据所述确定得到的最优叠压参数、最优厚度、最优导电率及最优磁导率选择磁耦合器的纳米晶材料,该方法、系统、设备及介质能够选择出最合适的纳米晶材料。
技术关键词
纳米晶材料
纳米晶磁芯
参数
磁耦合器
饱和磁通密度
仿真模型
线圈
导电
可读存储介质
处理器
计算机设备
谐振
存储器
电阻
模块
沪ICP备2023015588号