摘要
本发明涉及光通信领域,尤其涉及一种具有窗口区的电吸收调制激光器芯片及其制备方法,通过本发明的方法在原有LD区、EA区的基础上,再选择性外延生长出窗口区,三段式结构设计和选择区域外延制备技术使设置的窗口区能有效改善出光面光反射的现象,减少反射后的杂散光进入谐振腔中,保证了光场质量;同时窗口区的形成,也缩短了原有的EA区的长度,使的EA区有源区的腔长变短,减小了EA区的结电容,提高弛豫振荡频率,进而提高了器件响应频率。
技术关键词
调制激光器
蚀刻
芯片
光栅薄膜
衬底上外延生长
脊波导结构
金属电极
掩膜
反射膜层
保护膜层
隔离结构
光通信
谐振腔
氧化硅
封面
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