一种具有窗口区的电吸收调制激光器芯片及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种具有窗口区的电吸收调制激光器芯片及其制备方法
申请号:CN202411498474
申请日期:2024-10-25
公开号:CN119362148A
公开日期:2025-01-24
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光通信领域,尤其涉及一种具有窗口区的电吸收调制激光器芯片及其制备方法,通过本发明的方法在原有LD区、EA区的基础上,再选择性外延生长出窗口区,三段式结构设计和选择区域外延制备技术使设置的窗口区能有效改善出光面光反射的现象,减少反射后的杂散光进入谐振腔中,保证了光场质量;同时窗口区的形成,也缩短了原有的EA区的长度,使的EA区有源区的腔长变短,减小了EA区的结电容,提高弛豫振荡频率,进而提高了器件响应频率。
技术关键词
调制激光器 蚀刻 芯片 光栅薄膜 衬底上外延生长 脊波导结构 金属电极 掩膜 反射膜层 保护膜层 隔离结构 光通信 谐振腔 氧化硅 封面
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种稀土掺杂近红外荧光粉及其制备方法和应用
近红外荧光粉 稀土掺杂 光纤光谱仪 有机硅胶 溶液浓度检测系统
2
LED驱动系统及端口复用方法
LED驱动芯片 低压差线性稳压 逻辑控制单元 LED驱动系统 LED背光面板
3
一种通用时空一体信号处理系统
信号处理系统 射频收发组件 控制组件 硬件可定制 存储组件
4
一种具有废液收纳功能的直通式采血型压力传感器
医用压力传感器 排气冲洗装置 压力检测芯片 冲洗阀 废液瓶
5
水相NAD+前体的封装产物及其封装方法和应用
封装方法 油相材料 微流控芯片 水相 微流控技术
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号