人工智能芯片中考虑电热耦合和寄生效应的信号完整性分析与优化方法

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正文
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人工智能芯片中考虑电热耦合和寄生效应的信号完整性分析与优化方法
申请号:CN202411499339
申请日期:2024-10-25
公开号:CN119443018B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种人工智能芯片中考虑电热耦合和寄生效应的信号完整性分析与优化方法。该方法是针对人工智能芯片中随机阻式存储器交叉阵列,结合RRAM紧凑模型研究器件电热耦合和寄生效应对交叉阵列中信号完整性的影响,进行评估分析并提出优化方案。包括:(1)基于RRAM器件的紧凑模型,建立等效热电路网络表征交叉阵列中器件的电热耦合效应;(2)建立含寄生电阻、电容、电感的互连线等效电路模型,并采用部分元件等效电路(PEEC)方法提取模型中的寄生参数;(3)分析仿真结果,实现对考虑电热耦合和寄生效应等信号完整性评估;(4)针对寄生电压降和泄露路径的问题,提出优化方案。该方法在随机阻式存储器,神经形态类脑芯片具有重要应用价值。
技术关键词
信号完整性分析 人工智能芯片 等效电路方法 阻式存储器 互连线 电热 等效电路模型 效应 电容 矩形 RRAM器件 电感参数值 分块 阵列存储器 细丝 网络表征 电流
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沪ICP备2023015588号