一种具有低振荡阈值下波导层的氮化镓基半导体激光芯片

本发明公开了一种具有低振荡阈值下波导层的氮化镓基半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、上包覆层，所述下波导层为低振荡阈值下波导层；所述低振荡阈值下波导层为InGaN、GaN、InN、AlInGaN的任意一种或任意组合；所述低振荡阈值下波导层的形变势分布具有折线型分布。本发明调控激光器下波导层和有源层的形变势，降低有源层和下波导层的载流子去局域化，提升电子空穴注入和输运均匀性，加速粒子数反转，降低阈值电流密度。