晶片的加工方法

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晶片的加工方法
申请号:CN202411500541
申请日期:2024-10-25
公开号:CN119943759A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明提供晶片的加工方法,能够使不相对于分割预定线弯曲行进的直线状的裂纹在分割预定线上露出,高精度且适当地将晶片分割。晶片的加工方法包含如下的工序:第一加工工序,将对于晶片具有透过性的波长的第一输出的第一激光光线的聚光点定位于分割预定线的正面附近而向该晶片照射该第一激光光线,形成裂纹未到达分割预定线的正面的第一改质层;第二加工工序,将对于晶片具有透过性的波长的比该第一输出强的第二输出的第二激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片的背面的内侧而向该晶片照射该第二激光光线,沿着分割预定线形成第二改质层;以及分割工序,对晶片施加外力,将晶片分割成各个器件芯片。
技术关键词
分割预定线 激光 盾构隧道 聚光 GaN晶片 蓝宝石晶片 正面 裂纹 波长 芯片 外力 金刚石 直线 弯曲
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