基于模式旋转复用的薄膜铌酸锂芯片、应用及应用方法

本发明公开了一种基于模式旋转复用的薄膜铌酸锂芯片、应用及应用方法，属于集成光学器件领域，包括沿光传播的方向依次集成于LNOI平台上的光栅耦合器、分束器、模式旋转复用器和相位调制器，光栅耦合器、分束器、模式旋转复用器和相位调制器均由薄膜铌酸锂波导构成，且光栅耦合器、分束器、模式旋转复用器和相位调制器之间经薄膜铌酸锂基波导实现光互联。本发明采用上述基于模式旋转复用的薄膜铌酸锂芯片、应用及应用方法，通过将原本损耗掉的TM0模式转换为TE0模式，并与原有的TE0模式进行合束，因此可减小3dB的本征模式损耗，整体器件插入损耗减小约30％。