一种红光VCSEL芯片及其制作方法

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种红光VCSEL芯片及其制作方法。红光VCSEL芯片，包括从下至上依次设置的GaAs衬底、GaAs过渡层、底部反射镜、N型半导体层、多量子阱有源层、P型半导体层、GaP窗口层、透明导电层、监测层和顶部介质堆栈反射镜；所述GaP窗口层包括依次设置的GaP扩展层和GaP接触层，所述GaP扩展层包括非粗化区和围绕在所述非粗化区外围的粗化区，所述GaP接触层设置于所述非粗化区，且所述GaP接触层至少部分嵌入至所述透明导电层中；所述粗化区与所述透明导电层之间设置有氧化铝隔断层。本申请的结构可以有效提高短波长红光VCSEL转换效率和提高可靠性。