一种自适应衬底电位产生电路及其应用

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一种自适应衬底电位产生电路及其应用
申请号:CN202411507374
申请日期:2024-10-28
公开号:CN119030504B
公开日期:2025-04-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种自适应衬底电位产生电路及其应用,包括用于检测外部对管工作状态的状态检测电路、用于自适应为外部对管提供衬底偏置电位的输出电位控制电路、用于为状态检测电路和输出电位控制电路供电的电流镜电路以及与外部连接的五个端口。通过使用状态检测电路检测外部输入PMOS对管的漏极电位及源极共模电位,通过拉偏电阻R1控制状态检测电路输出高电平的精确触发阈值;输出电位控制电路使用运放控制流经MP7管电流,使用拉偏电阻R2控制外部PMOS对管的衬底偏置电位。本发明能够自动检测输入对管的工作状态,自适应调节对管衬底电位,相较于传统方式,降低了电路的最低工作电压,扩大了电路输入共模范围。
技术关键词
状态检测电路 电位控制电路 PMOS管 NMOS管 栅极 电流镜电路 端口 衬底 电阻 尺寸 电容 芯片 输入端 信号
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