一种LED芯片制备方法及LED芯片

本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，通过对GaN外延层进行MSA刻蚀，具体的，MSA刻蚀分为两次刻蚀，首先通入Cl2刻蚀GaN外延层，直至暴露出部分N型GaN层，然后通入SiCl4气体再进行刻蚀；将刻蚀后的晶圆放入BOE溶液中浸泡，后进行清洗；将清洗后的晶圆通过黄光工艺将光刻胶图形化，漏出晶圆上需要蒸镀金属的区域；将黄光工艺后的晶圆置于氧等离子体清洗机台中，去除显影后晶圆表面的残胶；使用去离子水充分清洗去除残胶后的晶圆，随后在晶圆上需要蒸镀金属的区域蒸镀金属电极，得到N电极金属层，通过上述工艺可以进一步降低金属电极与N型GaN层的接触电阻的同时，提高LED芯片发光亮度。