快离子导体活性电极忆阻器功能层材料及其制备与应用

本发明公开一种快离子导体活性电极忆阻器功能层材料及其制备与应用，快离子导体活性电极忆阻器功能层材料包括叠设的快离子导体层及非晶氧化物层；快离子导体层的离子导电率大于非晶氧化物层的离子导电率，非晶氧化物层的电阻率大于快离子导体层的电阻率，非晶氧化物层含有离子迁移通道；本申请利用快离子导体较高的离子导电率，大大降低了活性金属电极忆阻器的阻变电压，阻态可进行稳定的缓变，实现了对金属导电细丝通断的调制效果，提高了忆阻器的稳定性和一致性。