晶圆键合区域覆铜的方法

本发明涉及一种晶圆键合区域覆铜的方法，包括：对晶圆进行清洗、烘干以及溅镀金属层，在铜片的正面贴上第一保护膜，配制金属粘结用浆料并将浆料转印到晶圆的键合区域；将完成浆料转印的晶圆转移至烧结治具中，烧结治具设计有进气口和排气口，将铜片通过对准铜片和晶圆识别标识精准置于晶圆的键合区域，铜片的键合区域贴合浆料的正面，晶圆的相邻键合区域的铜片间距控制在导致晶圆的键合区域短路的距离之内；将覆盖好铜片的晶圆进行烧结；将环氧树脂材料填充在晶圆正面的非键合区域与铜片背面的沟槽之间并进行塑封；除去第一保护膜，将晶圆转移至晶圆分离机内分离晶圆至独立的芯片组件并烘干。本发明可以提高芯片良率、可靠性和稳定性。