一种考虑电荷积聚效应的直流套管电场计算方法和装置

AITNT
正文
推荐专利
一种考虑电荷积聚效应的直流套管电场计算方法和装置
申请号:CN202411511939
申请日期:2024-10-28
公开号:CN119378320A
公开日期:2025-01-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种考虑电荷积聚效应的直流套管电场计算方法和装置,该方法包括:通过考虑直流套管的绝缘材料内存在的陷阱电子、陷阱空穴、自由电子、自由空穴四种载流子以及自由电子‑自由空穴、陷阱电子‑自由空穴、自由电子‑陷阱空穴、陷阱电子‑陷阱空穴四种复合过程,建立数学模型和边界条件;结合所述边界条件,采用有限元算法对所述数学模型进行求解,得到直流套管内部在外加电场作用下的电荷分布与电场分布。本发明能实现精确的套管内电场计算,为设备运行状态的准确评估提供基础。
技术关键词
电场计算方法 陷阱 金属电极 数学模型 电子 有限元算法 表达式 绝缘材料 套管 效应 泊松方程 势垒高度 拉格朗日插值法 介质 表面电荷密度 强度 设备运行状态 载流子迁移率 界面
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号