基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法

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基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法
申请号:CN202411514625
申请日期:2024-10-29
公开号:CN119047377B
公开日期:2025-02-28
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法,属于双面半导体电子电镀技术领域。本发明通过计算空间流体力学模型与实验数据反馈相结合不断构建、完善CFD空间模型,从而快速确立各种不同构造半导体器件的最佳清洗生产条件,经过CFD空间模型的不断迭代、升级以提高CFD空间模型的精度,有助于改进用于双面水洗半导体器件的双面清洗装置的各项参数,从而获取最优的镀件双面水洗控制方式,不仅能实现半导体器件双面清洗的均匀性,还能够实现彻底均匀清洗半导体器件,达到其表面无白斑、无污物和无色差的基本要求。
技术关键词
双面清洗装置 水槽单元 方程 半导体器件模型 数据存储空间 清洗溶液 轮廓信息 清洗半导体器件 电子电镀技术 有限元仿真软件 流体力学模型 物理 半导体集成电路 密度 电镀模具 观察者 纯水管道 分流板
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