一种晶圆级真空封装传感芯片及其制备方法

本发明公开了一种晶圆级真空封装传感芯片及其制备方法，该制备方法包括：在封盖晶圆上刻蚀至少两个盲孔结构；在封盖晶圆上形成第一铜墙和第二铜墙以及填充在盲孔结构内的铜墙延伸部；在第二铜墙上制备形成焊料层；在第一铜墙上制备吸气剂层；对封盖晶圆背离盲孔结构的一侧的进行减薄至盲孔结构变为通孔结构，使得铜墙延伸部位于盲孔结构的孔底的端部露出形成用于激活吸气剂层的激励电极；通过焊料层将封盖晶圆和传感器晶圆进行晶圆键合，获得晶圆级真空封装传感芯片。本申请中可以通过对该铜墙延伸部施加激励电压实现吸气剂层的电激活，从而降低吸气剂层的激活难度，同时避免吸气剂层热激活对芯片工作性能的影响。