基于磁隧道结的温度自适应读写辅助电路及存储芯片

本发明属于集成电路领域，具体涉及一种基于磁隧道结的温度自适应读写辅助电路及存储芯片。该方案将SRAM存储阵列中的每个存储单元的传输管全部采用FDSOI型晶体管，并由温度自适应读写辅助电路在电路执行读操作或写操作时，向存储阵列中的每个存储单元的传输管中的衬底输出一个随温度上升而上升的背栅偏置电压，其中，温度自适应读写辅助电路包括动态电压源和一个由MTJ和NMOS构成的读写辅助偏置电路；读写辅助偏置电路利用MTJ在高阻态下的温度特性，对动态电压源的输出进行分压，进而得到所需的背栅偏置电压。本发明克服了SRAM器件中温度漂移导致的读写访问速度不稳定以及漏电流影响正常数据读写的问题。