半导体结构的制备方法及半导体结构

本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供第一载板，形成覆盖第一芯片、至少一个金属柱的塑封层；去除部分塑封层及部分半导体层，得到至少位于相邻电连接件之间的凹槽；至少于凹槽内形成覆盖电连接件顶面的介电层；至少去除部分介电层，至剩余介电层、电连接件及金属柱的顶面均相齐平；形成与金属柱、电连接件均电连接的第二线路层后，于第二线路层上形成第二载板；去除第一载板，暴露出用于与至少一第二芯片电连接的第一线路层。本申请实施例至少能够在确保封装后半导体结构的良率及可靠性不降低的情况下，提高封装体的线路承载能力。