半导体结构的制备方法及半导体结构

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半导体结构的制备方法及半导体结构
申请号:CN202411521136
申请日期:2024-10-29
公开号:CN119447104B
公开日期:2025-12-12
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构,包括:提供初始塑封结构,初始塑封结构包括沿第一方向依次层叠的第一载板、第一键合层、第一线路层、第一芯片和塑封层;第一线路层的部分第一连接件与第一芯片的第二连接件电连接;第一芯片包括第二连接件以及包裹第二连接件的半导体层;沿第一方向去除部分塑封层和部分半导体层,直至暴露出第二连接件;于塑封层上形成第二线路层后,于第二线路层上形成第二载板,第二线路层与第二连接件电连接;去除第一载板和第一键合层,暴露出第一线路层,第一线路层用于与至少一第二芯片电连接,从而降低单线路的承载压力,并提高半导体封装产品的良率。
技术关键词
半导体结构 半导体层 线路 塑封结构 载板 芯片 半导体封装产品 介电层 磨削工艺 焊点 包裹 层叠 基底 焊盘 压力
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