基于聚吡咯纳米粒子阵列的一阶模式全光开关芯片及其制备方法

本发明提供了一种基于聚吡咯纳米粒子阵列的一阶模式全光开关芯片及其制备方法。所述芯片，包括衬底层，层上设有非对称马赫‑曾德尔干涉仪型波导芯层，波导芯层外部包覆有折射率低于MZI型波导的上包层。本发明结构紧凑、易于集成，能够广泛应用于光通信网络和光信号处理系统中。与传统的热光开关相比，本发明所述的全光开关芯片在省略电极结构的基础上，制备方法简单，具备更快的响应速度和更低的功耗。