一种双面焊接单面水冷的IGBT功率模块及焊接工艺

本发明为一种双面焊接单面水冷的IGBT功率模块及焊接工艺，包括放置在冶具上的功率模块本体，所述功率模块本体由相对设置的第一绝缘基板和第二绝缘基板组成，并在第一绝缘基板和第二绝缘基板的一侧设置有至少一个引线框架，所述第一绝缘基板和第二绝缘基板上均通过焊料焊接有可双面焊接的半导体芯片，在第一绝缘基板和第二绝缘基板的半导体芯片上分别通过焊料焊接有第一铜钣金件和第二铜钣金件，第一铜钣金件和第二铜钣金件分别通过键合线以及焊料与引线框架进行连接，所述半导体芯片包括可双面焊接的绝缘栅双极型晶体管和二极管。本发明结构简单合理，有利于提高功率模块耐瞬态热冲击能力和提高功率模块电气连接可靠性，工艺简便。