一种有机场效应晶体管及其制备方法与应用

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一种有机场效应晶体管及其制备方法与应用
申请号:CN202411531048
申请日期:2024-10-30
公开号:CN119486460A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法与应用,所述有机场效应晶体管的结构从下到上依次为衬底、栅电极、量子点层、有机活性层和源漏电极;其中,所述量子点层采用的材料为上转换量子点。本发明将对近红外光敏感的上转换量子点与有机活性层中的有机活性物质相结合,同时构建有机活性层和近红外光敏感的量子点层,有利于补充单一成分(仅有机活性层)有机场效应晶体管近红外光响应的缺失,提升有机场效应晶体管的近红外光响应性能。
技术关键词
机场效应晶体管 量子点层 量子点溶液 红外光 衬底 蒸镀源 传感芯片 涂覆 电极 铜带 噻吩 掩膜 硅片 速度 光电 形态 成像 导电
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