红外探测器单模块差分芯片中测杜瓦装置及其制造方法

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红外探测器单模块差分芯片中测杜瓦装置及其制造方法
申请号:CN202411531961
申请日期:2024-10-30
公开号:CN119471303A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种红外探测器单模块差分芯片中测杜瓦装置及其制造方法。中测杜瓦装置包括杜瓦组件和芯片组件,芯片组件包括单模块芯片部件和差分芯片部件,杜瓦组件包括第一冷台、冷指、第二冷台和第三冷台;单模块芯片部件粘接于第二冷台上,差分芯片部件粘接于第三冷台上,第一冷台与第二冷台胶接,冷指通过钎焊工艺固定于第一冷台上,第一冷台的表面温度为第一预设温度;冷指的预设位置处设置有凸台,第三冷台与凸台胶接,预设位置为冷指上仿真的温度梯度分布中第二预设温度对应的分布位置。根据本申请实施例,可以实现具有二次处理能力芯片的性能测试,并且能够保证单模块芯片和差分芯片各自对应的工作温度。
技术关键词
芯片部件 杜瓦组件 红外探测器 外壳部件 钎焊工艺 芯片组件 阶段 过渡环 插件 基板 模块 半成品 测温电阻 保护罩 胶圈 夹子
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